KUK110-50GL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KUK110-50GL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 50 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 8000 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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KUK110-50GL Datasheet (PDF)

..1. Size:60K kexin
kuk110-50gl.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsPowerMOS transistor Logic level TOPFETKUK110-50GLTO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.1Vertical power DMOS output stage1.27-0.1Low on-state resistanceOverload protection against over temperatureOverload protection against short circuit load+0.1Latched overload protection reset by input 0.1max1.27-0.15 V input level0.81+0.1-0

9.1. Size:64K kexin
kuk114-50l.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsLogic level TOPFETKUK114-50LTO-263Unit: mmFeaturesVertical power DMOS output stage4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Low on-state resistanceLogic and protection supply from separate pinLow operating supply currentOverload protection against over temperature+0.10.1max1.27-0.1Overload protection against short circuit loadLatched overload

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Liste

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