KUK110-50GL Todos los transistores

 

KUK110-50GL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KUK110-50GL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8000 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

KUK110-50GL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  kexin
 kuk110-50gl.pdf pdf_icon

KUK110-50GL

SMD Type ICSMD Type TransistorsPowerMOS transistor Logic level TOPFETKUK110-50GLTO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.1Vertical power DMOS output stage1.27-0.1Low on-state resistanceOverload protection against over temperatureOverload protection against short circuit load+0.1Latched overload protection reset by input 0.1max1.27-0.15 V input level0.81+0.1-0

 9.1. Size:64K  kexin
 kuk114-50l.pdf pdf_icon

KUK110-50GL

SMD Type ICSMD Type TransistorsLogic level TOPFETKUK114-50LTO-263Unit: mmFeaturesVertical power DMOS output stage4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Low on-state resistanceLogic and protection supply from separate pinLow operating supply currentOverload protection against over temperature+0.10.1max1.27-0.1Overload protection against short circuit loadLatched overload

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History: DSK5J01X0L | H02N60I | AP9563GK | HM4612 | CHM9424JGP | KPCF8402 | P9515BD

 

 
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