KUK110-50GL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KUK110-50GL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8000 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KUK110-50GL datasheet

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KUK110-50GL

SMD Type IC SMD Type Transistors PowerMOS transistor Logic level TOPFET KUK110-50GL TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 Vertical power DMOS output stage 1.27-0.1 Low on-state resistance Overload protection against over temperature Overload protection against short circuit load +0.1 Latched overload protection reset by input 0.1max 1.27-0.1 5 V input level 0.81+0.1 -0

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KUK110-50GL

SMD Type IC SMD Type Transistors Logic level TOPFET KUK114-50L TO-263 Unit mm Features Vertical power DMOS output stage 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 Low on-state resistance Logic and protection supply from separate pin Low operating supply current Overload protection against over temperature +0.1 0.1max 1.27-0.1 Overload protection against short circuit load Latched overload

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