KUK7575-100A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KUK7575-100A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 99 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-263

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KUK7575-100A datasheet

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KUK7575-100A

SMD Type IC SMD Type Transistors TrenchMOSTM standard level FET KUK7575-100A TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 TrenchMOSTM technology Q101 compliant 175 rated Standard level compatible. +0.1 0.1max 1.27-0.1 0.81+0.1 -0.1 2.54 1gate 1Gate 2.54+0.2 +0.2 -0.2 +0.1 5.08-0.1 0.4-0.2 2drain 2Drain 3Source source 3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Par

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