LNTA7002NT1G Todos los transistores

 

LNTA7002NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNTA7002NT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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LNTA7002NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  lrc
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LNTA7002NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-89LNTA7002NT1GFeatures3 Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate 1 We declare that the material of product is ROHS compliant 2and halogen free.SC-89Applications Power Management Load Switch Level Shift

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History: 2SJ273 | 2N7002BKV | DACMH120N1200 | AP5600N | AUIRFR2607ZTR | HM2015DN03Q | 2SK1727

 

 
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