LNTA7002NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNTA7002NT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
- Selección de transistores por parámetros
LNTA7002NT1G Datasheet (PDF)
lnta7002nt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-89LNTA7002NT1GFeatures3 Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate 1 We declare that the material of product is ROHS compliant 2and halogen free.SC-89Applications Power Management Load Switch Level Shift
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: ME2306BS-G
History: ME2306BS-G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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