NVB5426N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVB5426N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NVB5426N datasheet

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NVB5426N

NTB5426N, NTP5426N, NVB5426N Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 http //onsemi.com Features Low RDS(on) ID MAX High Current Capability V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Avalanche Energy Specified 60 V 6.0 mW @ 10 V 120 A AEC Q101 Qualified - NVB5426N These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant Applications N-Channel Power Supplies D

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NVB5426N

NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N Power MOSFET 40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features www.onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant D Applications Electronic Brake Sys

Otros transistores... LSI1012XT1G, LXP152ALT1G, NUS5530MNR2G, NVA4001N, NVA4153N, NVA7002NT1G, NVB25P06, NVB5404N, IRFP250, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R