NVB5426N Todos los transistores

 

NVB5426N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVB5426N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NVB5426N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  onsemi
 nvb5426n.pdf pdf_icon

NVB5426N

NTB5426N, NTP5426N,NVB5426NPower MOSFET120 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAK, TO-220http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)ID MAX High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Avalanche Energy Specified60 V 6.0 mW @ 10 V 120 A AEC Q101 Qualified - NVB5426N These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications N-Channel Power Supplies D

 9.1. Size:77K  onsemi
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NVB5426N

NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantDApplications Electronic Brake Sys

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History: TMD5N60AZ | 7N65L-TF3T-T | STU6N60M2 | SWD7N70D | 2SK3755 | IRL1004PBF | IRC8305

 

 
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