NVB5426N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVB5426N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVB5426N

NVB5426N Datasheet (PDF)

..1. Size:142K onsemi
nvb5426n.pdf

NTB5426N, NTP5426N,NVB5426NPower MOSFET120 Amps, 60 VoltsN-Channel D2PAK, TO-220http://onsemi.comFeatures Low RDS(on)ID MAX High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Avalanche Energy Specified60 V 6.0 mW @ 10 V 120 A AEC Q101 Qualified - NVB5426N These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications N-Channel Power Supplies D

9.1. Size:77K onsemi
nvb5404n.pdf

NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantDApplications Electronic Brake Sys

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Liste

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