NVB5426N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVB5426N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 215 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 150 nC
Tiempo de subida (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1000 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVB5426N
NVB5426N Datasheet (PDF)
nvb5426n.pdf
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nvb5404n.pdf
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NTB5404N, NTP5404N,NVB5404NPower MOSFET40 V, 167 A, Single N-Channel, D2PAK &TO-220Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Low Gate Charge AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVB5404N 40 V 4.5 mW @ 10 V 167 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantDApplications Electronic Brake Sys
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