NVB5860N Todos los transistores

 

NVB5860N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVB5860N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 283 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 117 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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NVB5860N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf pdf_icon

NVB5860N

NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change

 0.1. Size:112K  onsemi
 ntb5860nl nvb5860nl.pdf pdf_icon

NVB5860N

NTB5860NL, NTP5860NL,NVB5860NLN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested3.0 mW @ 10 V60 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant3.6 mW @ 4.5 V NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site

Otros transistores... LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N , P0903BDG , NVB5860NL , NVB60N06 , NVB6410AN , NVB6411AN , NVB6412AN , NVB6413AN , NVD14N03R , NVD20N03L27 .

History: BLF884P | S80N10RP | AP96LT07GP-HF | SWX170R15ET | SIHP6N65E

 

 
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