NVF2955 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVF2955

Código: 2955

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 14.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 7.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.17 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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NVF2955 Datasheet (PDF)

1.1. nvf2955.pdf Size:108K _update_mosfet

NTF2955, NVF2955 Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features • Design for low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes http://onsemi.com • AEC-Q101 Qualified - NVF2955 • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A Applications • Power Supplies P-Channel • PWM Motor

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