NVF2955 Todos los transistores

 

NVF2955 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVF2955
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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NVF2955 Datasheet (PDF)

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NVF2955

NTF2955, NVF2955,NVF2955PPower MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) http://onsemi.com Withstands High Energy in Avalanche and Commutation ModesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC-Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantApplications P-Channel Power Supp

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NVF2955

NTF2955, NVF2955Power MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modeshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified - NVF2955 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 AApplications Power SuppliesP-Channel PWM Motor

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NVF2955

NTF2955, NVF2955Power MOSFET-60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223Features Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modeshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified - NVF2955 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX-60 V 145 mW @ -10 V -2.6 AApplications Power SuppliesP-Channel PWM Motor

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