NVF2955 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVF2955  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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NVF2955 datasheet

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NVF2955

NTF2955, NVF2955, NVF2955P Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features Design for low RDS(on) http //onsemi.com Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX AEC-Q101 Qualified - NVF2955, NVF2955P -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant Applications P-Channel Power Supp

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NVF2955

NTF2955, NVF2955 Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified - NVF2955 These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A Applications Power Supplies P-Channel PWM Motor

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NVF2955

NTF2955, NVF2955 Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features Design for low RDS(on) Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified - NVF2955 These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A Applications Power Supplies P-Channel PWM Motor

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