NVMFD5489NL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMFD5489NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: DFN8

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NVMFD5489NL datasheet

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NVMFD5489NL

NVMFD5489NL Power MOSFET 60 V, 65 mW, 12 A, Dual N-Ch Logic Level Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses 175 C Operating Temperature V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5489NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 65 mW @ 10 V Inspection 60 V

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NVMFD5489NL

NVMFD5483NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 36 mW, 24 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 36 mW @ 10 V 175 C Operating Temperature 60 V 24 A NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 45 mW @ 4

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NVMFD5489NL

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