NVMFD5853NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFD5853NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVMFD5853NL

NVMFD5853NL Datasheet (PDF)

..1. Size:75K onsemi
nvmfd5853nl.pdf

NVMFD5853NLPower MOSFET40 V, 10 mW, 34 A, Dual N-Channel LogicLevel, Dual SO-8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designshttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical10 mW @ 10 VInspection40 V 34 A A

4.1. Size:120K onsemi
nvmfd5853n.pdf

NVMFD5853N,NVMFD5853NWFPower MOSFET40 V, 10 mW, 53 A, Dual N-Channel, DualSO-8FLFeatureshttp://onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product40 V 10 mW @ 10 V 53 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl

4.2. Size:202K onsemi
nvmfd5853n nvmfd5853nwf.pdf

NVMFD5853N,NVMFD5853NWFMOSFET Dual N-Channel,Dual SO-8FL40 V, 10 mW, 53 Ahttp://onsemi.comFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses40 V 10 mW @ 10 V 53 A NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

6.1. Size:78K onsemi
nvmfd5852nl.pdf

NVMFD5852NLPower MOSFET40 V, 6.9 mW, 44 A, Dual N-Channel LogicLevel, Dual SO-8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designshttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5852NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical6.9 mW @ 10 VInspection40 V 44 A

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: