NVR5198NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVR5198NL
   Código: AAL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVR5198NL

NVR5198NL Datasheet (PDF)

..1. Size:121K onsemi
nvr5198nl.pdf

NVR5198NLPower MOSFET60 V, 155 mW, Single N-Channel LogicLevel, SOT-23Features Small Footprint Industry Standard Surface Mount SOT-23 Packagehttp://onsemi.com Low RDS(on) for Low Conduction Losses and Improved Efficiency AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS155 mW @ 10 VCom

9.1. Size:123K onsemi
nvr5124pl.pdf

NVR5124PLMOSFET Power, SingleP-Channel, SOT-23-60 V, -1.1 A, 230 mWFeatures Trench Technologywww.onsemi.com NVR Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXQualified and PPAP Capable230 mW @ -10 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant-60 V -1.1 A365 mW @

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Liste

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