OM6101ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OM6101ST
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257AA
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OM6101ST Datasheet (PDF)
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OM6001ST OM6003ST OM6101ST OM6103STOM6002ST OM6004ST OM6102ST OM6104STPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC TO-257AA PACKAGE100V Thru 500V, Up To 14 Amp, N-ChannelMOSFET With Or Without Zener GateClamp ProtectionFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Bi-Lateral Zener Gate Protection (Optional) Fast Switching, Low Drive Current Ease Of Paralleling For Added P
om6005sc om6105sc om6106sc.pdf
OM6005SC OM6007SC OM6105SC OM6107SCOM6006SC OM6008SC OM6106SC OM6108SCPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC TO-258AA PACKAGE100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-ChannelMOSFET With Or Without Zener GateClamp ProtectionFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Bi-Lateral Zener Gate Protection (Optional) Fast Switching, Low Drive Current Ease Of Paralleling For Added P
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