OM6101ST Todos los transistores

 

OM6101ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OM6101ST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA
 

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OM6101ST Datasheet (PDF)

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OM6101ST

OM6001ST OM6003ST OM6101ST OM6103STOM6002ST OM6004ST OM6102ST OM6104STPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC TO-257AA PACKAGE100V Thru 500V, Up To 14 Amp, N-ChannelMOSFET With Or Without Zener GateClamp ProtectionFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Bi-Lateral Zener Gate Protection (Optional) Fast Switching, Low Drive Current Ease Of Paralleling For Added P

 9.1. Size:37K  omnirel
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OM6101ST

OM6005SC OM6007SC OM6105SC OM6107SCOM6006SC OM6008SC OM6106SC OM6108SCPOWER MOSFET IN HERMETIC ISOLATEDJEDEC TO-258AA PACKAGE100V Thru 500V, Up To 35 Amp, N-ChannelMOSFET With Or Without Zener GateClamp ProtectionFEATURES Isolated Hermetic Metal Package Bi-Lateral Zener Gate Protection (Optional) Fast Switching, Low Drive Current Ease Of Paralleling For Added P

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History: IRHMS57264SE | IRF7811AVPBF-1 | 2SJ476-01S | P0903BK | APT22F120L | GSM4822S | VBM165R18

 

 
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