P50B6EA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P50B6EA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P50B6EA datasheet

 ..1. Size:169K  shindengen
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P50B6EA

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 9.1. Size:356K  international rectifier
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P50B6EA

AUIRGP50B60PD1 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP50B60PD1-E WARP2 SERIES IGBT WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCE(on) typ. = 2.00V @ VGE = 15V IC = 33A Applications Automotive HEV and EV Equivalent MOSFET PFC and ZVS SMPS Circuits G Parameters Features RCE(on) typ. = 61m E Low VCE(ON) NPT Technology, Positive Temperature ID (FET equivalent) = 50A Coefficie

 9.2. Size:421K  international rectifier
 irgp50b60pd1-e.pdf pdf_icon

P50B6EA

PD - 96170 SMPS IGBT IRGP50B60PD1-EP WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V Applications @ VGE = 15V IC = 33A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET G Consumer Electronics Power Supplies Parameters Lead-Free RCE(on) typ. = 61m E Features ID (FE

 9.3. Size:868K  international rectifier
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P50B6EA

PD - 94624B SMPS IGBT IRGP50B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V VCE(on) typ. = 2.00V Applications @ VGE = 15V IC = 33A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET G Consumer Electronics Power Supplies Parameters RCE(on) typ. = 61m E Features ID (FET equivalent) = 50

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