PCP1302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PCP1302
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.266 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de PCP1302 MOSFET
PCP1302 Datasheet (PDF)
pcp1302.pdf

Ordering number : ENA2227 PCP1302 P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com -60V, -3A, 266m, Single PCPFeatures On-resistance RDS(on)1=200m(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection Diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS -60 V Gate to Source Voltage
Otros transistores... OM6104ST , OM6105SC , OM6106SC , P50B4EA , P50B6EA , P55NF06 , P5N50C , P9B40HP2 , IRF3205 , PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 , PDM6T20V3 , PDM6UT20V08E , PDNM6T20V7E , PDNM6UT20V05 , PDNM8TP20V6E .
History: OSG60R580DF | 2SJ421 | DMN3730UFB4 | WMB175N10HG4 | OSG60R580DTF
History: OSG60R580DF | 2SJ421 | DMN3730UFB4 | WMB175N10HG4 | OSG60R580DTF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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