PCP1403 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PCP1403
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PCP1403

PCP1403 Datasheet (PDF)

..1. Size:395K onsemi
pcp1403.pdf

Ordering number : ENA2294A PCP1403 N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 4.5A, 117m, Single PCP Features On-resistance RDS(on)1=92m(typ.) 4V drive Protection Diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 V Gate to Source Voltage

8.1. Size:478K onsemi
pcp1402.pdf

Ordering number : ENA2303A PCP1402 Power MOSFET http://onsemi.com 250V, 2.4, 1.2A, Single N-Channel Features On-resistance RDS(on)=1.8 (typ) Input Capacitance Ciss=210pF (typ) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 250 V Gate to Source Voltage VG

8.2. Size:456K onsemi
pcp1405.pdf

Ordering number : ENA2326A PCP1405 Power MOSFET http://onsemi.com 250V, 6.5, 0.6A, Single N-Channel Features On-resistance RDS(on)1=5 (typ) 2.5V drive Protection diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 250 V Gate to Source Voltage V

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History: PA110BV

Liste

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