PCP1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PCP1405
Código: QV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PCP1405
PCP1405 Datasheet (PDF)
pcp1405.pdf
Ordering number : ENA2326A PCP1405 Power MOSFET http://onsemi.com 250V, 6.5, 0.6A, Single N-Channel Features On-resistance RDS(on)1=5 (typ) 2.5V drive Protection diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 250 V Gate to Source Voltage V
pcp1403.pdf
Ordering number : ENA2294A PCP1403 N-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 4.5A, 117m, Single PCP Features On-resistance RDS(on)1=92m(typ.) 4V drive Protection Diode in Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 60 V Gate to Source Voltage
pcp1402.pdf
Ordering number : ENA2303A PCP1402 Power MOSFET http://onsemi.com 250V, 2.4, 1.2A, Single N-Channel Features On-resistance RDS(on)=1.8 (typ) Input Capacitance Ciss=210pF (typ) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 250 V Gate to Source Voltage VG
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Liste
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