PDNM8TP20V6E Todos los transistores

 

PDNM8TP20V6E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDNM8TP20V6E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

PDNM8TP20V6E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  prisemi
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PDNM8TP20V6E

PDNM8TP20V6E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 19@ VGS=4.5V 6Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

 4.1. Size:122K  prisemi
 pdnm8tp20v7e.pdf pdf_icon

PDNM8TP20V6E

PDNM8TP20V7E Dual N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 20 16@ VGS=4.5V 7Internal Structure Top View(TSSOP-8) D1(D2) D1(D2)D1(D2) 8 1 S1 S2 7 2 6 S2 G1 G2 S1 3 4 G1 5 G2 S1 S2 Absolute maximum rating@25

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP33N65M2 | STP55N06L | RFL1N10L

 

 
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