PH1225AL Todos los transistores

 

PH1225AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH1225AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK2
 

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PH1225AL Datasheet (PDF)

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PH1225AL

PH1225ALN-channel 25 V 1.2 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 01 14 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is for computing use only1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate charge characteri

 ..2. Size:369K  nxp
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PH1225AL

PH1225ALN-channel 25 V 1.2 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 01 14 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is for computing use only1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate charge characteri

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History: AUIRFR4105ZTR | IRF7484Q | IXTY1N80 | SM3106NSU | AM6411P | FHD2N60E | BSC072N04LD

 

 
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