PH1225AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH1225AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: LFPAK2

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PH1225AL datasheet

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PH1225AL

PH1225AL N-channel 25 V 1.2 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 01 14 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is for computing use only 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate charge characteri

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PH1225AL N-channel 25 V 1.2 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 01 14 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is for computing use only 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate charge characteri

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