QM3802S Todos los transistores

 

QM3802S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM3802S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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QM3802S Datasheet (PDF)

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QM3802S Dual N-Ch 30V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3802S is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFETs with extreme high cell density , Die 1 10m 30V 10A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Die 2 7m 30V 12A applications . Applications The QM3802S meet the Ro

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QM3809M6 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3809M6 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , CH BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge Die1 30V 9m 57Afor most of the synchronous buck converter Die2 30V 5.5m 72Aapplications . The QM3809M6 meet the RoHS and Green A

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QM3807M6 Dual N-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM3807M6 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 30V 9m 57Afor most of the synchronous buck converter 30V 4m 83Aapplications . The QM3807M6 meet the RoHS and Green Applications Product

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