QM4803D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM4803D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: TO-252
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QM4803D datasheet
qm4803d.pdf
QM4803D N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM4803D is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 40V 26m 23A charge for most of the synchronous buck converter -40V 40m -20A applications . The QM4803D meet the RoHS and Green Product
qm4803s.pdf
QM4803S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM4803S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 40V 26m 7.2A charge for most of the synchronous buck converter -40V 40m -6.5A applications . The QM4803S meet the RoHS and Green Product
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