QM4803D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM4803D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 5.5 nC
Tiempo de subida (tr): 2.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM4803D
QM4803D Datasheet (PDF)
qm4803d.pdf
QM4803D N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM4803D is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 40V 26m 23Acharge for most of the synchronous buck converter -40V 40m -20Aapplications . The QM4803D meet the RoHS and Green Product
qm4803s.pdf
QM4803S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM4803S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 40V 26m 7.2Acharge for most of the synchronous buck converter -40V 40m -6.5Aapplications . The QM4803S meet the RoHS and Green Product
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