QM4803S Todos los transistores

 

QM4803S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM4803S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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QM4803S Datasheet (PDF)

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QM4803S

QM4803S N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM4803S is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 40V 26m 7.2Acharge for most of the synchronous buck converter -40V 40m -6.5Aapplications . The QM4803S meet the RoHS and Green Product

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QM4803S

QM4803D N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM4803D is the highest performance trench N-ch and P-ch MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 40V 26m 23Acharge for most of the synchronous buck converter -40V 40m -20Aapplications . The QM4803D meet the RoHS and Green Product

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History: CS110N03A3 | STL22N65M5

 

 
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