QS5U12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS5U12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TSMT5

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QS5U12 datasheet

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QS5U12

QS5U12 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U12 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

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QS5U12

QS5U17 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U17 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U17 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

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QS5U12

QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

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QS5U12

QS5U16 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U16 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switc

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