QS5U12 Todos los transistores

 

QS5U12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS5U12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

 Búsqueda de reemplazo de QS5U12 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

QS5U12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  rohm
 qs5u12.pdf pdf_icon

QS5U12

QS5U12 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U12 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U12 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

 9.1. Size:69K  rohm
 qs5u17.pdf pdf_icon

QS5U12

QS5U17 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U17 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U17 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

 9.2. Size:69K  rohm
 qs5u13.pdf pdf_icon

QS5U12

QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U13 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

 9.3. Size:69K  rohm
 qs5u16.pdf pdf_icon

QS5U12

QS5U16 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U16 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switc

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... QM6301S , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , QS5K2 , IRF520 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 .

History: AP3N4R0H | NCE60N2K1R | SE20075

 

 
Back to Top

 


 
.