QS5U34 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS5U34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: TSMT5
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QS5U34 datasheet
qs5u34.pdf
QS5U34 Transistors 1.8V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U34 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U34 combines Nch MOSFET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching. 3)
qs5u36.pdf
QS5U36 Transistors 1.5V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U36 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE Features 1) The QS5U36 combines Nch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (1.5V). Each lead has same dimensions 4) The Independentl
qs5u33.pdf
QS5U33 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U33 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U33 combines Pch MOSFET with 0 0.1 (1) (2) (3) a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage d
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Liste
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MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
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