QS5U34 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS5U34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT5
- Selección de transistores por parámetros
QS5U34 Datasheet (PDF)
qs5u34.pdf

QS5U34 Transistors 1.8V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U34 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U34 combines Nch MOSFET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3)
qs5u36.pdf

QS5U36 Transistors 1.5V Drive Nch+SBD MOSFET QS5U36 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE Features 1) The QS5U36 combines Nch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (1.5V). Each lead has same dimensions4) The Independentl
qs5u33.pdf

QS5U33 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U33 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U33 combines Pch MOSFET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage d
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: GP1M003A080XX | FQA7N90M | DMN4010LFG | WNM4002 | SML802R4KN | 4N60L-TM3-T | AP9990GMT-HF
History: GP1M003A080XX | FQA7N90M | DMN4010LFG | WNM4002 | SML802R4KN | 4N60L-TM3-T | AP9990GMT-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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