QS8K13 Todos los transistores

 

QS8K13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS8K13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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QS8K13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  rohm
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QS8K13

QS8K13 Dual Nch 30V 6.0A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS TSMT8 30V(7) (6) RDS(on) (Max.)28mW (5) ID6A(1) (2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Tr2 Gate

 9.1. Size:1253K  rohm
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QS8K13

Data Sheet4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K12 Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon N-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.2) High power package(TSMT8).(1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive(4V drive).Abbreviated symbol : K12 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping ID=4A,

 9.2. Size:574K  rohm
 qs8k11.pdf pdf_icon

QS8K13

QS8K11 Dual Nch 30V 3.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS TSMT8 30V(7) (6) RDS(on) (Max.) (5) 50mWID (1) 3.5A(2) (3) PD1.5W (4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Pac

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History: SM2316NSA | CES2307 | FDS4435-NL | H7P1006MD90TZ | LSE50R160HT | CES2303 | DMP2160UW

 

 
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