QS8K13 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QS8K13  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QS8K13 datasheet

 ..1. Size:1438K  rohm
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QS8K13

QS8K13 Dual Nch 30V 6.0A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS TSMT8 30V (7) (6) RDS(on) (Max.) 28mW (5) ID 6A (1) (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). (4) Tr2 Gate

 9.1. Size:1253K  rohm
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QS8K13

Data Sheet 4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K12 Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon N-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). (1) (2) (3) (4) 3) Low voltage drive(4V drive). Abbreviated symbol K12 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping ID=4A,

 9.2. Size:574K  rohm
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QS8K13

QS8K11 Dual Nch 30V 3.5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS TSMT8 30V (7) (6) RDS(on) (Max.) (5) 50mW ID (1) 3.5A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Small Surface Mount Pac

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