RFM15N05L Todos los transistores

 

RFM15N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFM15N05L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-204AA
 

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RFM15N05L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  njs
 rfm15n05l rfm15n06l.pdf pdf_icon

RFM15N05L

 8.1. Size:82K  njs
 rfm15n12 rfm15n15 rfp15n12 rfp15n15.pdf pdf_icon

RFM15N05L

 9.1. Size:309K  international rectifier
 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N05L

 9.2. Size:23K  semelab
 2n7224 irfm150.pdf pdf_icon

RFM15N05L

2N7224SEMEIRFM150LABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL13.59 (0.535) 6.32 (0.249)POWER MOSFET13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 100VID(cont) 34ARDS(on) 0.0701 2 3FEATURES REPETITIVE AVALANCHE RATING ISOLATED AND HERMETICALLY SEALED ALTERNATIVE TO TO-3 PACKAGE0.89 (0.035)1.14 (0

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History: AFC4599 | CHM1012PAGP | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | IPAN65R650CE

 

 
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