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RJK6024DP3-A0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJK6024DP3-A0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 4.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 14.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 7.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 42 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RJK6024DP3-A0

 

RJK6024DP3-A0 Datasheet (PDF)

1.1. rej03g1936 rjk6024dpdds.pdf Size:74K _renesas

RJK6024DP3-A0
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Preliminary Datasheet RJK6024DPD REJ03G1936-0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Jun 01, 2010 Features ? Low on-resistance RDS(on) = 28 ? typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25?C) ? Low drive current ? High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-A D (Package name : MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drai

1.2. rjk6024dp3-a0.pdf Size:136K _renesas

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 Preliminary Datasheet RJK6024DP3-A0 R07DS1106EJ0100 600 V - 0.4 A - MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Aug 23, 2013 Features • Low on-resistance RDS(on) = 28 Ω typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSP0004ZB-A (Package name: SOT-223) D 4 1. Gate 2. Drain G 3 3. Sourc

 1.3. r07ds0424ej rjk6024dpe.pdf Size:98K _renesas

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Preliminary Datasheet RJK6024DPE R07DS0424EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Jun 06, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 28 ? typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) Low leakage current High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-B (Package name: LDPAK(S)-(1) ) D 4 1. Gate 2. Drain 3. Source G 4. Dr

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