RQ3E080BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ3E080BN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0152 Ohm
Paquete / Cubierta: HSMT8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ3E080BN
RQ3E080BN Datasheet (PDF)
rq3e080bn.pdf
RQ3E080BNDatasheetNch 30V 8A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 15.2m ID 8A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin
rq3e080gn.pdf
RQ3E080GN Nch 30V 8A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)16.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)22.8mWID8APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D
rq3e070bn.pdf
RQ3E070BNDatasheetNch 30V 7A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 27m ID 7A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging
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History: APT20M42HVR
History: APT20M42HVR
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