RQ3E100GN Todos los transistores

 

RQ3E100GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ3E100GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSMT8
     - Selección de transistores por parámetros

 

RQ3E100GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  rohm
 rq3e100gn.pdf pdf_icon

RQ3E100GN

RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)11.7mWRDS(on) at 4.5V (Max.)15.7mWID10APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY

 7.1. Size:465K  rohm
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RQ3E100GN

RQ3E100MN Nch 30V 10A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSMT8RDS(on) at 10V (Max.)12.3mWRDS(on) at 4.5V (Max.)16.8mWID10APD2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSMT8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTEC

 7.2. Size:2665K  rohm
 rq3e100bn.pdf pdf_icon

RQ3E100GN

RQ3E100BNDatasheetNch 30V 10A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 10.4m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackag

 9.1. Size:2687K  rohm
 rq3e150bn.pdf pdf_icon

RQ3E100GN

RQ3E150BNDatasheetNch 30V 15A Middle Power MOSFETlOutlinel HSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.3m ID 15A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagi

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History: FQP16N15 | KP737A | FQAF28N15 | IRF8852 | SSF7504A7 | HTJ440P03 | JCS12N60BT

 

 
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