RQ3E100MN Todos los transistores

 

RQ3E100MN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ3E100MN

Código: E100MN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 9.9 nC

Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 185 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0123 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSMT8

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RQ3E100MN Datasheet (PDF)

1.1. rq3e100mn.pdf Size:465K _update_mosfet

RQ3E100MN
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RQ3E100MN Nch 30V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 12.3mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 16.8mW ID 10A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTEC

3.1. rq3e100bn.pdf Size:2665K _update_mosfet

RQ3E100MN
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RQ3E100BN Datasheet   Nch 30V 10A Middle Power MOSFET    lOutline l             HSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 10.4mΩ     ID ±10A     PD 2W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackag

3.2. rq3e100gn.pdf Size:473K _update_mosfet

RQ3E100MN
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RQ3E100GN Nch 30V 10A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSMT8 RDS(on) at 10V (Max.) 11.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.7mW ID 10A PD 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSMT8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY

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