RQ5E025AT Todos los transistores

 

RQ5E025AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ5E025AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.091 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RQ5E025AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2688K  rohm
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RQ5E025AT

RQ5E025ATDatasheetPch -30V -2.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS-30VRDS(on)(Max.) 91m ID 2.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT3).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging spe

 9.1. Size:1120K  rohm
 rq5e035bn.pdf pdf_icon

RQ5E025AT

RQ5E035BNDatasheetNch 30V 3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS30VRDS(on)(Max.) 37m ID 3.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS

 9.2. Size:1542K  rohm
 rq5e040tn.pdf pdf_icon

RQ5E025AT

RQ5E040TNDatasheetNch 30V 4A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-346TVDSS30V SC-96RDS(on)(Max.)48m TSMT3ID4.0APD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Built-in G-S Protection Diode3) Small Surface Mount Package (TSMT3)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications

 9.3. Size:2865K  rohm
 rq5e030aj.pdf pdf_icon

RQ5E025AT

RQ5E030AJDatasheetNch 30V 3A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS30VRDS(on)(Max.) 75mID 3.0A(SC-96)PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications

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History: 2SK4057 | S80N10RN

 

 
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