RQ5E025AT Todos los transistores

 

RQ5E025AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ5E025AT

Código: JS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 5.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 8.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.091 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ5E025AT

 

RQ5E025AT Datasheet (PDF)

1.1. rq5e025at.pdf Size:2688K _update_mosfet

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RQ5E025AT Datasheet   Pch -30V -2.5A Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT3 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 91mΩ     ID ±2.5A     PD 1W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging spe

5.1. rq5e030aj.pdf Size:2865K _update_mosfet

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RQ5E030AJ Datasheet   Nch 30V 3A Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT3 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 75mΩ   ID ±3.0A (SC-96)   PD 1W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications

5.2. rq5e035at.pdf Size:2650K _update_mosfet

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RQ5E035AT Datasheet   Pch -30V -3.5A Power MOSFET    lOutline l             TSMT3 VDSS -30V   RDS(on)(Max.) 50mΩ     ID ±3.5A     PD 1W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. lPackaging specifica

 5.3. rq5e035bn.pdf Size:1120K _update_mosfet

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RQ5E035BN Datasheet   Nch 30V 3.5A Power MOSFET    lOutline l             TSMT3 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 37mΩ     ID ±3.5A     PD 1W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS

5.4. rq5e040aj.pdf Size:2891K _update_mosfet

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RQ5E040AJ Datasheet   Nch 30V 4A Middle Power MOSFET    lOutline l             TSMT3 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 37mΩ   ID ±4.0A (SC-96)   PD 1W                         lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi

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