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RQ5E040AJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ5E040AJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RQ5E040AJ PDF Specs

 ..1. Size:2891K  rohm
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RQ5E040AJ

RQ5E040AJ Datasheet Nch 30V 4A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 37m ID 4.0A (SC-96) PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagi... See More ⇒

 7.1. Size:1542K  rohm
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RQ5E040AJ

RQ5E040TN Datasheet Nch 30V 4A Small Signal MOSFET lOutline l SOT-346T VDSS 30V SC-96 RDS(on)(Max.) 48m TSMT3 ID 4.0A PD 1.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S Protection Diode 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications ... See More ⇒

 9.1. Size:1120K  rohm
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RQ5E040AJ

RQ5E035BN Datasheet Nch 30V 3.5A Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 37m ID 3.5A PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS ... See More ⇒

 9.2. Size:2865K  rohm
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RQ5E040AJ

RQ5E030AJ Datasheet Nch 30V 3A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 75m ID 3.0A (SC-96) PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications ... See More ⇒

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History: SL60N10Q | IPD80R750P7 | FQI3P20TU

 

 
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