PHX8ND50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHX8ND50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT186A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHX8ND50E

PHX8ND50E Datasheet (PDF)

..1. Size:61K philips
phx8nd50e 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 4.2 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 0.85 Fast reverse recovery diodetrr = 180 n

9.1. Size:90K philips
phx8nq11t.pdf

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9.2. Size:74K philips
phx8n50e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.2 Ag Isolated packageRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, en

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Liste

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