PHX8ND50E Todos los transistores

 

PHX8ND50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHX8ND50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A
 

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PHX8ND50E Datasheet (PDF)

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PHX8ND50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 4.2 A High thermal cycling performanceg Isolated package RDS(ON) 0.85 Fast reverse recovery diodetrr = 180 n

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PHX8ND50E

PHX8NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 14 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a fully isolated encapsulatedplastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Isolated package.1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies.1.4 Qui

 9.2. Size:74K  philips
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PHX8ND50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHX8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.2 Ag Isolated packageRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT186AN-channel, en

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