RQ6E045BN Todos los transistores

 

RQ6E045BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ6E045BN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RQ6E045BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2697K  rohm
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RQ6E045BN

RQ6E045BNDatasheetNch 30V 4.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 30m ID 4.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ; Ro

 9.1. Size:2714K  rohm
 rq6e030at.pdf pdf_icon

RQ6E045BN

RQ6E030ATDatasheetPch -30V -3.0A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 91m ID 3.0A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging

 9.2. Size:2706K  rohm
 rq6e055bn.pdf pdf_icon

RQ6E045BN

RQ6E055BNDatasheetNch 30V 5.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 25m ID 5.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ; Ro

 9.3. Size:2653K  rohm
 rq6e035at.pdf pdf_icon

RQ6E045BN

RQ6E035ATDatasheetPch -30V -3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 50m ID 3.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ;

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