RQ6E055BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RQ6E055BN
   Código: HH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQ6E055BN

RQ6E055BN Datasheet (PDF)

..1. Size:2706K rohm
rq6e055bn.pdf

RQ6E055BNDatasheetNch 30V 5.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 25m ID 5.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ; Ro

8.1. Size:2649K rohm
rq6e050at.pdf

RQ6E050ATDatasheetPch -30V -5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 27m ID 5.0A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifica

9.1. Size:2714K rohm
rq6e030at.pdf

RQ6E030ATDatasheetPch -30V -3.0A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 91m ID 3.0A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging

9.2. Size:2653K rohm
rq6e035at.pdf

RQ6E035ATDatasheetPch -30V -3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 50m ID 3.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ;

9.3. Size:2697K rohm
rq6e045bn.pdf

RQ6E045BNDatasheetNch 30V 4.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 30m ID 4.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ; Ro

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History: IRFSL4610 | FQD12N20TM | KQB12P20 | IRFS4010

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: