RQ6E055BN Todos los transistores

 

RQ6E055BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQ6E055BN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RQ6E055BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2706K  rohm
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RQ6E055BN

RQ6E055BNDatasheetNch 30V 5.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 25m ID 5.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ; Ro

 8.1. Size:2649K  rohm
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RQ6E055BN

RQ6E050ATDatasheetPch -30V -5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 27m ID 5.0A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifica

 9.1. Size:2714K  rohm
 rq6e030at.pdf pdf_icon

RQ6E055BN

RQ6E030ATDatasheetPch -30V -3.0A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 91m ID 3.0A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging

 9.2. Size:2653K  rohm
 rq6e035at.pdf pdf_icon

RQ6E055BN

RQ6E035ATDatasheetPch -30V -3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 50m ID 3.5A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).4) Pb-free lead plating ;

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History: CS730A4RD | PMPB47XP | MPSY65M170 | PMG85XP | RJK1054DPB | S-LP2307LT1G | HGW059N12S

 

 
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