RS1E130GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1E130GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm

Encapsulados: HSOP8

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RS1E130GN datasheet

 ..1. Size:464K  rohm
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RS1E130GN

RS1E130GN Nch 30V 13A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 11.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.2mW ID 13A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain (4) Gate (8) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 BODY DIODE 4) Hal

 9.1. Size:466K  rohm
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RS1E130GN

RS1E150GN Nch 30V 15A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 8.8mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 11.4mW ID 15A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BOD

 9.2. Size:460K  rohm
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RS1E130GN

RS1E170GN Nch 30V 17A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 30V HSOP8 RDS(on) at 10V (Max.) 6.7mW RDS(on) at 4.5V (Max.) 8.7mW ID 17A PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant (4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free *1 BODY DI

Otros transistores... RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, RQ6P015SP, RQ7E055AT, RRQ020P03, RRS110N03TB1, IRF730, RS1E150GN, RS1E170GN, RS1E200AH, RS1E200BN, RS1E200GN, RS1E240BN, RS1E240GN, RS1E280BN