RS1E200AH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RS1E200AH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1E200AH

RS1E200AH Datasheet (PDF)

..1. Size:1169K rohm
rs1e200ah.pdf

RS1E200AHDatasheetNch 30V 20A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.2m ID 20A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and

7.1. Size:458K rohm
rs1e200gn.pdf

RS1E200GN Nch 30V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)4.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)6.1mWID20APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

7.2. Size:2700K rohm
rs1e200bn.pdf

RS1E200BNDatasheetNch 30V 20A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.9m ID 20A PD3.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fr

9.1. Size:2699K rohm
rs1e280bn.pdf

RS1E280BNDatasheetNch 30V 28A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 2.3m ID 28A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

9.2. Size:476K rohm
rs1e280gn.pdf

RS1E280GN Nch 30V 28A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)2.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)3.3mWID28APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

9.3. Size:474K rohm
rs1e240gn.pdf

RS1E240GN Nch 30V 24A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)3.3mWRDS(on) at 4.5V (Max.)4.4mWID24APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

9.4. Size:2732K rohm
rs1e240bn.pdf

RS1E240BNDatasheetNch 30V 24A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.2m ID 24A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZXMN6A25GTA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: