RS1E200AH Todos los transistores

 

RS1E200AH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RS1E200AH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de RS1E200AH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RS1E200AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  rohm
 rs1e200ah.pdf pdf_icon

RS1E200AH

RS1E200AHDatasheetNch 30V 20A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.2m ID 20A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and

 7.1. Size:458K  rohm
 rs1e200gn.pdf pdf_icon

RS1E200AH

RS1E200GN Nch 30V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)4.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)6.1mWID20APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 7.2. Size:2700K  rohm
 rs1e200bn.pdf pdf_icon

RS1E200AH

RS1E200BNDatasheetNch 30V 20A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.9m ID 20A PD3.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fr

 9.1. Size:2699K  rohm
 rs1e280bn.pdf pdf_icon

RS1E200AH

RS1E280BNDatasheetNch 30V 28A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 2.3m ID 28A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , RRQ020P03 , RRS110N03TB1 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , IRF740 , RS1E200BN , RS1E200GN , RS1E240BN , RS1E240GN , RS1E280BN , RS1E280GN , RS1E300GN , RS1E320GN .

History: FQD6N25TF | AP2910EC4 | STD65N55F3 | BUK7M19-60E | 2SK1388 | NCE6003XM | IXFA60N25X3

 

 
Back to Top

 


 
.