RS1G120MN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RS1G120MN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0162 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RS1G120MN
RS1G120MN Datasheet (PDF)
rs1g120mn.pdf
RS1G120MN Nch 40V 12A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V (8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)16.2mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)20.7mW(1) (2) ID12A(3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoH
rs1g180mn.pdf
RS1G180MN Nch 40V 18A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V (8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)7.0mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)9.2mW(1) ID (2) 18A(3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(1) Source (5) Drain (2) Source (6) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(3) Source (7
rs1g150mn.pdf
RS1G150MN Nch 40V 15A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V(8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)10.6mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)13.3mW(1) ID15A (2) (3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoH
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Liste
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