RSH065N03TB1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

RSH065N03TB1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSH065N03TB1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RSH065N03TB1 datasheet

..1. Size:167K rohm
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4V Drive Nch MOSFET RSH065N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package

6.1. Size:172K rohm
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4V Drive Nch MOSFET RSH065N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basi

6.2. Size:173K rohm
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