RSH065N03TB1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSH065N03TB1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSH065N03TB1

RSH065N03TB1 Datasheet (PDF)

..1. Size:167K rohm
rsh065n03tb1.pdf

4V Drive Nch MOSFET RSH065N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package

6.1. Size:172K rohm
rsh065n06tb1.pdf

4V Drive Nch MOSFET RSH065N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasi

6.2. Size:173K rohm
rsh065n06.pdf

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