RSH070P05TB1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSH070P05TB1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSH070P05TB1

RSH070P05TB1 Datasheet (PDF)

..1. Size:138K rohm
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4V Drive Pch MOSFET RSH070P05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic

5.1. Size:204K rohm
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8.1. Size:139K rohm
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4V Drive Nch MOSFET RSH070N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)Package Taping(8) (7) (6) (5)Type C

8.2. Size:206K rohm
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