RSJ400N06FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ400N06FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: LPTS

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RSJ400N06FRA datasheet

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RSJ400N06FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 RSJ400N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High current 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Co

 5.1. Size:1173K  rohm
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RSJ400N06FRA

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High current 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces

 7.1. Size:446K  rohm
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RSJ400N06FRA

RSJ400N10 Nch 100V 40A Power MOSFET Datasheet lOutline (2) VDSS 100V LPTS (SC-83) RDS(on) (Max.) 27mW ID 40A (1) PD 50W (3) lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. (1) Gate *1 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple. *2 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead pl

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