RSQ025P03TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSQ025P03TR
   Código: TP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSQ025P03TR

RSQ025P03TR Datasheet (PDF)

..1. Size:70K rohm
rsq025p03tr.pdf

RSQ025P03TransistorDC-DC Converter (-30V, -2.5A)RSQ025P03 External dimensions (Units : mm) Features 1) Low On-resistance.(120m at 4.5V)2) High Power Package.(PD=1.25W)TSMT62.83) High speed switching.1.64) Low voltage drive.(4V)Each lead has same dimensionsAbbreviatedsymbol : TP ApplicationsDC-DC converter Equivalent circuit Struct

5.1. Size:961K rohm
rsq025p03fra.pdf

RSQ025P03FRARSQ025P03TransistorAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOS FET RSQ025P03FRARSQ025P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance.(120m at 4.5V) 2) High Power Package.(PD=1.25W) 0~0.1(1) (2) (3)3) High speed switching. 1pin mark4) Low voltage

9.1. Size:65K rohm
rsq020n03.pdf

RSQ020N03 Transistors 4V Drive Nch MOSFET RSQ020N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0~0.1(1) (2) (3)1pin mark0.160.4 ApplicationsEach lead has same dimensionsSwitching Abbreviated symbol : Q

9.2. Size:1074K rohm
rsq020n03fra.pdf

RSQ020N03FRA Nch 30V 2A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutline(6) VDSS30V(5) TSMT6(4) RDS(on) (Max.)134mW(1) ID2.0A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plat

9.3. Size:63K rohm
rsq020n03tr.pdf

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