PMBF5485 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMBF5485
   Código: p6M
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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PMBF5485 Datasheet (PDF)

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pmbf5484 pmbf5485 pmbf5486 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPMBF5484; PMBF5485;PMBF5486N-channel field-effect transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationPMBF5484;N-channel field-effect transistorsPMBF5485; PMBF5486FEATURES Low noise Interchangeability of drain andsource connections High gain.3h

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