PMBF5485 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMBF5485

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PMBF5485 datasheet

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PMBF5485

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF5484; PMBF5485; PMBF5486 N-channel field-effect transistors April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification PMBF5484; N-channel field-effect transistors PMBF5485; PMBF5486 FEATURES Low noise Interchangeability of drain and source connections High gain. 3 h

Otros transistores... PHX8N50E, PHX8ND50E, PMBF4391, PMBF4392, PMBF4393, PMBF4416, PMBF4416A, PMBF5484, IRFP250N, PMBF5486, PMBFJ108, PMBFJ109, PMBFJ110, PMBFJ111, PMBFJ112, PMBFJ113, PMBFJ210