RSR025N03TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSR025N03TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSR025N03TL

RSR025N03TL Datasheet (PDF)

..1. Size:63K rohm
rsr025n03tl.pdf

RSR025N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RSR025N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET 2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low on-resistance. ( ) ( )1 20.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3) . (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol

5.1. Size:65K rohm
rsr025n03.pdf

5.2. Size:926K rohm
rsr025n03fra.pdf

RSR025N03FRARSR025N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RSR025N03FRARSR025N03 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel TSMT31.0MAXMOS FET2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low on-resistance. (1) (2)0.95 0.952) Built-in G-S Protection Diode. 0.161.93) Small Surface Mount Package (TSMT3) . (1) Gate Each lead has same d

6.1. Size:1170K rohm
rsr025n05.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSR025N05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features(3)1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) (2)3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TLBasic ordering unit (pieces) 300

6.2. Size:979K rohm
rsr025n05fra.pdf

RSR025N05FRA Nch 45V 2.5A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS TSMT3 45V(3) RDS(on) (Max.)100mW(1) ID2.5APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTI

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD60R280P7 | TPD60R330M

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: