RSS120N03TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSS120N03TB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RSS120N03TB datasheet

 ..1. Size:57K  rohm
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RSS120N03TB

RSS120N03 Transistors Switching (30V, 12A) RSS120N03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 5.0 0.2 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). Applications 0.2 0.1 Power switching, DC / DC converter. 0.4 0.1 1.27 0.1 Structure Each lead has same dimensions Silicon N-channel MOS FET Equivale

 9.1. Size:58K  rohm
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RSS120N03TB

RSS125N03 Transistors Switching (30V, 12.5A) RSS125N03 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8) . 3.9 (1) Source 6.0 (2) Source Application (3) Source Power switching, DC / DC converter. (4) Gate (5) Drain 0.4Min. (6 )Drain Each lead has same dimensions (7)

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