RSS125N03TB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSS125N03TB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSS125N03TB

RSS125N03TB Datasheet (PDF)

..1. Size:58K rohm
rss125n03fu6tb rss125n03tb.pdf

RSS125N03 Transistors Switching (30V, 12.5A) RSS125N03 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (SOP8) . 3.9(1) Source6.0(2) Source Application (3) SourcePower switching, DC / DC converter. (4) Gate(5) Drain0.4Min.(6 )DrainEach lead has same dimensions(7)

9.1. Size:57K rohm
rss120n03fu6tb rss120n03tb.pdf

RSS120N03 Transistors Switching (30V, 12A) RSS120N03 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 5.00.23) Small and Surface Mount Package (SOP8). Applications 0.20.1Power switching, DC / DC converter. 0.40.11.270.1 Structure Each lead has same dimensionsSilicon N-channel MOS FET Equivale

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: