RTR030P02 Todos los transistores

 

RTR030P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTR030P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RTR030P02 datasheet

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RTR030P02

RTR030P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTR030P02 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol TV

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RTR030P02

RTR030P02FHA RTR030P2 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOS FET RTR030P02 RTR030P02FHA External dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TSMT3 1.0MAX MOS FET 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) 0.95 0.95 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimen

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RTR030P02

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RTR030P02

2.5V Drive Nch MOSFET RTR030N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 1 2 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.95 0.16 1.9 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol PV (3) Drain Application I

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History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K | SWB058R06E7T

 

 

 

 

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