RV2C002UN Todos los transistores

 

RV2C002UN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RV2C002UN
   Código: RY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: VML1006

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET RV2C002UN

 

RV2C002UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  rohm
rv2c002un.pdf

RV2C002UN
RV2C002UN

RV2C002UN Nch 20V 180mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS20VVML1006(3) RDS(on) (Max.)2.0WID180mA(2) PD100mW(1) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment.(1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

 8.1. Size:603K  rohm
rv2c001zp.pdf

RV2C002UN
RV2C002UN

RV2C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20VVML1006(3) RDS(on) (Max.)3.8WID-100mA(2) PD100mW(1) lFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(-1.2V) makes this device ideal for partable equipment.(1) Gate (2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in ESD Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION

 9.1. Size:2649K  rohm
rv2c010un.pdf

RV2C002UN
RV2C002UN

RV2C010UNDatasheetNch 20V 1A Power MOSFETlOutlinel VML1006VDSS20VRDS(on)(Max.) 470m ID 1.0A PD400mW lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(VML1006).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fre

 9.2. Size:2444K  rohm
rv2c014bc.pdf

RV2C002UN
RV2C002UN

RV2C014BCDatasheetPch -20V -1.4A Small Signal MOSFETlOutlinel DFN1006-3VDSS-20V SC-101RDS(on)(Max.)300m VML1006ID1.4APD600mW lInner circuitllFeaturesl1) Low on - Resistance, High Current.2) High Power small mold Package(DFN1006).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


RV2C002UN
  RV2C002UN
  RV2C002UN
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top