SCH1345 Todos los transistores

 

SCH1345 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SCH1345
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: SCH6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SCH1345 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  onsemi
 sch1345.pdf pdf_icon

SCH1345

Ordering number : ENA2220A SCH1345 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com 20V, 4.5A, 49m, Single SCH6Features On-resistance RDS(on)1=42m (typ) 1.5V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 20 V Gate to S

 8.1. Size:383K  1
 sch1343.pdf pdf_icon

SCH1345

SCH1343Ordering number : ENA1994SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSCH1343ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=55m (typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage

 9.1. Size:286K  sanyo
 sch1330.pdf pdf_icon

SCH1345

SCH1330Ordering number : ENA1460ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceSCH1330ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --2

 9.2. Size:28K  sanyo
 sch1302.pdf pdf_icon

SCH1345

Ordering number : ENN7532SCH1302P-Channel Silicon MOSFETSCH1302Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2221 1.8V drive.[SCH1302]Top View Side View1.60.20.156 5 41 2 31 : Drain0.52 : DrainBottom View3 : GateSide View4 : Source5 : Drain6 : DrainSANYO : SCH6

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History: IRFI830A | ME7648 | APTM100UM65SCAVG | ME7620-G | IXTX170P10P | ME7607 | 2N6764

 

 
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