SIR466DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR466DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR466DP datasheet

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SIR466DP

New Product SiR466DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 21.5 nC 0.0051 at VGS = 4.5 V 40g 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 DC/DC Converter - Low Side Switch S D 6.

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SIR466DP

New Product SiR460DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.0047 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested 30 16.8 nC 0.0061 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Notebook Vcore

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SIR466DP

SiR462DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 30a 30 8.8 nC 100 % UIS Tested 0.010 at VGS = 4.5 V 30a APPLICATIONS PowerPAK SO-8 High-Side Switch Server, VRM, POL S 6.15

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SIR466DP

SiR468DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0057 at VGS = 10 V 40 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 13.8 nC 100 % UIS Tested 0.0076 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low-Side Switch Notebook DC/DC S 6.15 mm 5.15 mm

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