SIR472ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR472ADP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SIR472ADP datasheet
sir472adp.pdf
SiR472ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a, g Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0090 at VGS = 10 V 18 30 9 nC Optimized for high-side switching in 0.0115 at VGS = 4.5 V 18 synchronous buck converters PowerPAK SO-8 Single Material categorizat
sir472dp.pdf
SiR472DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.012 at VGS = 10 V 20 Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 30 6.8 nC 0.015 at VGS = 4.5 V 20 Package with Low 1.07 mm Profile Optimized for High-Side Synchronous Rectifier PowerPAK SO-
sir476dp.pdf
New Product SiR476DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0017 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 25 42.5 nC 100 % Rg Tested 0.0021 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High C
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