SIR494DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR494DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR494DP datasheet

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SIR494DP

New Product SiR494DP Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0012 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET 12 50 nC 0.0017 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Power

 9.1. Size:308K  vishay
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SIR494DP

New Product SiR492DP Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0038 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT 12 41 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0047 at VGS = 2.5 V 40 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS

 9.2. Size:309K  vishay
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SIR494DP

SiR496DP Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0045 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET 20 13.2 nC 0.0058 at VGS = 4.5 V 35g 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

Otros transistores... SIR468DP, SIR470DP, SIR472ADP, SIR472DP, SIR474DP, SIR476DP, SIR484DP, SIR492DP, 13N50, SIR496DP, SIR640ADP, SIR640DP, SIR642DP, SIR662DP, SIR698DP, SIR770DP, SIR774DP