SIR494DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR494DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 98 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
SIR494DP Datasheet (PDF)
sir494dp.pdf

New ProductSiR494DPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0012 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Gen III Power MOSFET12 50 nC0.0017 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPower
sir492dp.pdf

New ProductSiR492DPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0038 at VGS = 4.5 V 40COMPLIANT 12 41 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0047 at VGS = 2.5 V 40Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONS
sir496dp.pdf

SiR496DPVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.0045 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET20 13.2 nC0.0058 at VGS = 4.5 V 35g 100 % Rg Tested 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/
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History: IXFK50N85X | DMP2123LQ
History: IXFK50N85X | DMP2123LQ



Liste
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