SIR640ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIR640ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR640ADP

SIR640ADP Datasheet (PDF)

..1. Size:379K vishay
sir640adp.pdf

SiR640ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Low Qg for high efficiency0.0020 at VGS = 10 V 10040 28.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0025 at VGS = 4.5 V 100 Material categorization: PowerPAK SO-8 Singlefor definitions of compliance please se

8.1. Size:473K vishay
sir640dp.pdf

New ProductSiR640DPVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0017 at VGS = 10 V 60 TrenchFET Power MOSFET40 34.6 nC0.0022 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 Low Qg for High Efficiency Compli

9.1. Size:507K vishay
sir642dp.pdf

New ProductSiR642DPVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) Low Qg for High Efficiency0.0024 at VGS = 10 V 60 100 % Rg and UIS Tested40 27.2 nC0.0030 at VGS = 4.5 V 60 Material categorization:For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

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History: JCS10N70C

Liste

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